تشبه القناة الحلقية المصنوعة من زرنيخيد الغاليوم (GaAs) حوض سباحة دائرياً بلا حواجز: تدخل الإلكترونات عبر الضفة الداخلية وتخرج عبر الضفة الخارجية. وفي مادة فائقة النقاء، تتصادم الإلكترونات بعضها ببعض أكثر مما تتصادم مع عيوب الشبكة البلورية، فتبدأ في التصرف كسائل. وإذا شُغّل مجال مغناطيسي، فإنه يلفّ هذا التدفق، فترتفع مقاومة القناة. بل إن ارتفاعها يتناسب مع مربع شدة المجال، ومن هذا الارتفاع يمكن الحكم على لزوجة السائل الإلكتروني.
صنع الباحثون عدة حلقات بأحجام مختلفة، وقاسوا المقاومة عند درجات حرارة مختلفة. وتبيّن أن المعامل الذي يضرب مربع شدة المجال يزداد مع حجم الحلقة وينخفض مع درجة الحرارة. وهذا بالضبط ما تتوقعه النظرية: ففي حلقة أكبر توجد مساحة أوسع ليُظهر السائل لزوجته، وعند التسخين تتصادم الإلكترونات أكثر فتقل اللزوجة.
وهكذا صارت القناة الحلقية أداة جديدة لقياس لزوجة السائل الإلكتروني. في السابق كانوا يستخدمون أساساً جسور هول (Hall bridges) لهذا الغرض، لكن النتيجة هناك كانت تعتمد على كيفية تفاعل الإلكترونات مع الجدران الجانبية. أما في الحلقة فيختفي مصدر اللايقين هذا، ولا يبقى سوى التدفق الحجمي. والآن يستطيع الفيزيائيون اختبار نظريات الهيدروديناميكا الإلكترونية على منصة أنقى.
بلغت المقاومة المغناطيسية النسبية في هذه الأجهزة 10^4%، أي تغيّر في المقاومة بمقدار مئة ضعف عند مجال لا يتجاوز 0,2 تسلا. وللمقارنة، تغيّر المعادن العادية مقاومتها بنسب ضئيلة من المئة في مثل هذه المجالات.