Un cristal pousse dans un bain chaud comme un sucre d'orge sur un bâtonnet dans un sirop de sucre. Sauf qu'ici, au lieu du sucre, on a de l'oxyde de germanium, et au lieu du bâtonnet, un minuscule germe. En modifiant la composition du bain, on peut faire pousser le cristal plus vite, changer la forme de ses faces, ou même le transformer en un agrégat de nombreux petits cristaux.

Les scientifiques ont cultivé des cristaux d'oxyde de germanium à partir d'un mélange d'oxyde de molybdène et de carbonate de lithium. Il s'est avéré qu'il suffit de modifier la proportion de molybdène de seulement un pour cent et demi — de 40 % à 41,5 % — pour que le cristal change de proportions : il devient plus allongé, bien que ses faces restent nettes. Et si l'on ajoute encore plus de molybdène, la croissance se fait dans toutes les directions à la fois, et au lieu d'un seul gros cristal, on obtient une masse polycristalline.

Un tel contrôle précis de la forme et de la vitesse de croissance est important pour l'industrie. L'oxyde de germanium est un semi-conducteur à très large bande interdite, c'est-à-dire qu'il peut fonctionner sous des tensions élevées et dans le domaine ultraviolet. On peut en fabriquer des transistors de puissance et des capteurs qui ne craignent pas la surchauffe. Et les cristaux cultivés servent de substrats — la fondation sur laquelle on dépose les couches minces pour les dispositifs.

Désormais, les fabricants pourront adapter la composition du bain à la tâche spécifique : besoin d'un cristal long — une proportion, besoin d'un cristal plat — une autre. Cela accélère et réduit le coût du passage de l'échantillon de laboratoire au dispositif en série.