عادةً، لقلب مغناطيس في جهاز ذاكرة، تُستخدم معادن ثقيلة مثل البلاتين أو التنجستن. إلكتروناتها، عند مرور التيار، تنحرف جانبياً كحشد على سلم متحرك، وينقل هذا الانحراف عزمًا دورانيًا إلى الطبقة المغناطيسية. لكن المعادن الثقيلة باهظة الثمن وتفقد الكثير من الطاقة على شكل حرارة.

الآن، استبدل الباحثون المعدن الثقيل بمعدن خفيف — نيتريد الفاناديوم (VN). يعمل فيه آلية مختلفة: تأثير هول المداري. إلكترونات VN لا تطير فحسب، بل تتحرك في مدارات، مثل الكواكب حول الشمس. عند مرور التيار، تميل المدارات، وينتقل هذا الميل إلى الطبقة المجاورة [Co/Pt]3، حيث يتحول إلى عزم مغزلي عادي. وهذا يقلب المغنطة.

للتبديل الكامل، تطلب الأمر تيارًا بكثافة حوالي 10⁷ أمبير/سم² ومجالًا مغناطيسيًا خارجيًا. بدون المجال، كان التبديل جزئيًا. كثافة التيار مشابهة لأجهزة التنجستن، لكن المادة نفسها أخف وربما أرخص. أكدت الحسابات أن VN يمتلك موصلية مدارية كبيرة وموصلية مغزلية صغيرة، أي أن التيار المداري هو المسيطر فعلاً.

يمكن أن يشكل هذا النهج أساسًا لإلكترونيات جديدة — "إلكترونيات مدارية" (orbitronics)، حيث تُنقل المعلومات بالعزم المداري بدلاً من العزم المغزلي أو الشحنة. وهذا يفتح الطريق لأجهزة ذاكرة ومنطق أكثر اقتصادًا.