يبدأ المنقّب عن الذهب بغربلة الرمل عبر منخل، فيطرح ما لا قيمة له من الصخور. وبطريقة مشابهة، قرر العلماء البحث عن عيوب مفيدة في كربيد السيليكون (silicon carbide)، وهو بلورة صلبة تُستخدم بالفعل في الإلكترونيات، وربما تُستخدم في المستقبل في الحواسيب الكمومية.
العيب هو خلل نقطي في انتظام البلورة: إما مكان فارغ تنقصه ذرة، وإما ذرة غريبة في موضع غريب. وهذه العيوب قد تعطّل عمل الأجهزة أحيانًا، وقد تتحول في أحيان أخرى إلى كيوبتات، أي خلايا ذاكرة كمومية. والمشكلة أن خيارات العيوب بالآلاف، والحساب الدقيق لكل عيب يستغرق وقتًا طويلًا. ومن هنا تأتي الحاجة إلى غربال.
كان يُظن سابقًا أنه لا غنى عن حساب كامل لبنية العيب. أما الآن فقد اتضح أن تقديرات معقولة ممكنة حتى من دون حسابات معقدة. وهذا النهج يخفض عتبة الدخول: فلا حاجة إلى عنقود حوسبة ضخم، بل يكفي حاسوب عادي مزوّد بنموذج مدرّب. إن الغربال لا يحل محل التحقق الدقيق، لكنه يوفّر الجهد: فالحسابات الدقيقة لا تُجرى إلا للمرشحين الواعدين، لا لآلاف الخيارات العشوائية.
في 4H-SiC أكثر من 200 متعدد أنماط، لكن 4H هو المستخدم في معظم الأجهزة التجارية. والعيوب النقطية فيه قد تُصدر فوتونات فردية، ما يجعلها مرشحة للتشفير الكمومي.