ترانزستور القدرة المصنوع من كربيد السيليكون يعمل تحت جهد أعلى بآلاف المرات من جهد المقبس المنزلي. إذا توزع المجال داخله بشكل غير متساوٍ، فقد يحترق الجهاز. في السابق لم يكن بالإمكان رؤية هذا المجال: فهو قوي جدًا بالنسبة للمستشعرات العادية، ويجب أن يظل الجهاز تحت الجهد أثناء القياس. الآن تم العثور في البلورة على جاسوس صغير — عيب يتوهج استجابةً للمجال.

هذا العيب هو مكان فارغ حيث يجب أن توجد ذرة سيليكون. هذا الفراغ (vacancy) يتصرف مثل إبرة البوصلة: يتغير توهجه اعتمادًا على اتجاه المجال. والمثير للدهشة أن الإبرة تستشعر المجال بشكل متساوٍ في الاتجاهين الطولي والعرضي للبلورة. إنها مثل بوصلة لا تُظهر الشمال فقط، بل أيضًا الارتفاع عن الأرض. لا توجد مستشعرات أخرى مثل هذه.

التحليل الطيفي لتوهج الفراغات يتيح بناء خريطة للمجال داخل الجهاز بدقة أقل من ميكرومتر. يمكن تحديد المكان الذي يتجمع فيه المجال في «قبضة» خطيرة، وإعادة تصميم الجهاز بحيث يقع الضغط في مكان أكثر متانة. هذا النهج يحول تطوير إلكترونيات القدرة من أسلوب التجربة والخطأ إلى علم دقيق.