على ركيزة من السيليكون، نُمت أغشية رقيقة جدًا من جزيئات عضوية. وفيها، كما في ورقة مرسومة بمربعات، رُتبت بإبرة المجهر النفقي الماسح حظائر صغيرة جدًا — ذرات اصطناعية. الإلكترونات داخل هذه الحظائر تتصرف مثل الإلكترونات في الذرة الحقيقية: تحتل مستويات طاقية محددة، تشبه المدارات s و p المألوفة. هذه المستويات تسمح حتى للحظائر المجاورة بأن «ترتبط» ببعضها، مثل الذرات في الجزيء.

لكن الأكثر إثارة يبدأ عندما يحاول الإلكترون الهروب من الحظيرة. الغشاء المحيط مُهيأ بحيث يكون الطريق مفتوحًا أمام الإلكترون في اتجاهات معينة، ومغلقًا تمامًا في اتجاهات أخرى. تنشأ مدارات جديدة، ممتدة على طول الاتجاهات المسموحة، مثل ممرات طويلة. هذه المدارات غير موجودة في الذرات الحقيقية. إنها تشبه أسلاكًا ممددة في عالم ثنائي الأبعاد.

هذا الاكتشاف يوسع قاموس الكيمياء: الآن عند تصميم المواد يمكن استخدام ليس فقط المدارات المألوفة s و p و d، بل أيضًا مدارات جديدة وُلدت من الفراغ ثنائي الأبعاد. ربما في المستقبل سيؤدي هذا إلى إلكترونيات يسري فيها التيار على طول خطوط مرسومة مسبقًا دون أي أسلاك.