Normalmente, para invertir un imán en un dispositivo de memoria se utilizan metales pesados como el platino o el tungsteno. Sus electrones, al fluir la corriente, se desvían lateralmente, como una multitud en una escalera mecánica, y esa desviación transmite un momento de rotación a la capa magnética. Pero los metales pesados son caros y pierden mucha energía en forma de calor.

Ahora, los investigadores han sustituido el metal pesado por uno ligero: el nitruro de vanadio (VN). En él actúa otro mecanismo: el efecto Hall orbital. Los electrones en el VN no solo se desplazan, sino que se mueven en órbitas, como planetas alrededor del Sol. Al circular la corriente, las órbitas se inclinan, y esa inclinación se transmite a la capa adyacente [Co/Pt]3, donde se convierte en un momento de espín ordinario. Ese momento es el que invierte la magnetización.

Para la conmutación completa se necesitó una corriente con una densidad de aproximadamente 10⁷ A/cm² y un campo magnético externo. Sin campo, la conmutación fue parcial. La densidad de corriente es comparable a la de los dispositivos de tungsteno, pero el material en sí es más ligero y potencialmente más barato. Los cálculos confirmaron que el VN tiene una alta conductividad orbital y una baja conductividad de espín, es decir, la corriente orbital realmente domina.

Este enfoque podría sentar las bases de una nueva electrónica: la 'orbitrónica', donde la información se transporta mediante el momento orbital, no por el espín o la carga. Esto abre el camino hacia dispositivos de memoria y lógica más eficientes.