The Hall effect is the production of a voltage difference across an electrical conductor transverse to an electric current and a magnetic field.En 1879, Edwin Hall, estudiante de la Universidad Johns Hopkins, experimentaba con una fina lámina de oro. Notó que el campo magnético no solo curva la corriente, sino que crea una diferencia de potencial transversal. Resultó que el signo del voltaje depende del signo de los portadores de carga: en los metales es uno y en los semiconductores es el opuesto. Así nació el método para determinar el tipo de conductividad.
Edwin Hall descubrió el efecto en 1879, inspirado por la idea de Maxwell de que el campo magnético debía actuar sobre el conductor, no directamente sobre la corriente. Usó una lámina de oro y un imán potente, midiendo el diminuto voltaje con un galvanómetro. Investigaciones posteriores llevaron al descubrimiento del efecto Hall cuántico por Klaus von Klitzing en 1980.
Se aplica para medir campos magnéticos, detección de corriente sin contacto, en sensores magnetorresistivos. En semiconductores se usa para caracterizar materiales: midiendo R_H y la conductividad, se obtienen la movilidad y la concentración de portadores. Límites: condición de campo débil, cuando las trayectorias son casi rectas; en campos fuertes aparecen efectos cuánticos.
Los sensores Hall se encuentran en automóviles (encendido), teléfonos (apertura de la funda con imán) y miden campos magnéticos sin contacto.
El efecto Hall permitió descubrir que en algunos semiconductores la corriente es transportada por «huecos» positivos, no por electrones, lo cual fue una sorpresa en el siglo XX. Y el efecto Hall cuántico, descubierto un siglo después, proporcionó un patrón de resistencia eléctrica.
| σ_H | variable | Hall conductivity — electrical conductivity siemens |
| ν | variable | Filling factor (integer or fractional) — filling factor |
| e | variable | Elementary charge — carga eléctrica coulomb |
| h | variable | Planck constant — constante de Planck joule second |



















