Un imán en un microchip es como la aguja de una brújula que hay que girar sin tocarla. Normalmente se usan metales pesados para ello, pero se calientan y desperdician energía. Los físicos encontraron un sustituto: el material laminado GeTe, parecido a una pila de láminas finísimas.

En el experimento, se hizo pasar corriente a través de la interfaz entre la aleación magnética NiFe y el GeTe. El flujo eléctrico hizo que la magnetización girara con una fuerza que antes se consideraba imposible para estos materiales laminares. El valor resultó incluso mayor que el de los mejores metales pesados: −(1,25 ± 0,11) × $10^5$ (ħ/2e) Ω⁻¹·m⁻¹.

La clave está en la acción conjunta de tres efectos. El espín del electrón (su diminuto momento magnético) y su movimiento orbital actúan en conjunto, y la interfaz entre los materiales ayuda a transmitir el esfuerzo. Los cálculos por ordenador confirmaron que la carga fluye a través de la unión y amplifica el giro.

Ahora los ingenieros pueden fabricar chips de memoria y lógica que consumen menos energía al conmutar. Las películas finas de GeTe abren el camino a dispositivos donde el imán se controla con corriente casi sin pérdidas, y todo ello a temperatura ambiente.