Тонкий слой полупроводника при низкой температуре ведёт себя как кастрюля с мёдом: электроны в нём текут не поодиночке, а как густая жидкость. Если прогнать через такой слой переменный ток, сопротивление откликается плавной кривой. Добавь постоянный ток — и на этой кривой появляется провал, который становится глубже с силой тока.
Этот провал — не новая загадка, а следствие нагрева. Постоянный ток разогревает электронную жидкость, как огонь под кастрюлей. Чем горячее жидкость, тем меньше её вязкость, и сопротивление падает сильнее. Измерения показали: вязкостная часть сопротивления обратно пропорциональна квадрату температуры электронов. Тот же эффект, что и в опытах Гуржи много лет назад, но теперь его вызвали током, а не нагревом образца снаружи.
Практический смысл в том, что ток сам управляет свойствами электронной жидкости. Меняя силу постоянного тока, можно плавно настраивать сопротивление устройства, не трогая термостат. Это шаг к электронике, где поток зарядов ведёт себя как управляемая жидкость, а не как рой независимых частиц.
как её написали авторы, на английском arXiv:2603.21346
We perform a differential resistance study in the hydrodynamic regime of electron liquid in GaAs/AlGaAs quantum wells. At zero magnetic field ($$B$$) a Lorentzian profile occurs in the nonlinear transport driven by a U-turn (ac) current loop, in (ac + dc) measurements a minimum deepens with the external dc current bias ($$j_{dc}$$). Our analysis shows that the observed electronic transport valley induced by $$j_{dc}$$ is attributed to Joule heating effect on the electron temperature ($$T_{e}$$) of electron liquid. Quantitatively, we demonstrate that the viscosity resistivity ($$\Delta \rho$$) is proportional to $$T^{-2}$$ and is consistent with the dc-current induced electronic Gurzhi effect in various configurations of measurement.
При температурах жидкого гелия электроны в арсениде галлия могут течь как жидкость с вязкостью, превышающей вязкость воды в сотни раз.