
Полупроводник — это материал, электрическая проводимость которого занимает промежуточное положение между проводимостью проводника и изолятора.Полупроводник — это кристалл, в котором электронам нужна небольшая порция энергии (ширина запрещённой зоны от 0,1 до 2 эВ), чтобы начать проводить ток. В отличие от металлов, его сопротивление при нагреве уменьшается. Добавление примесей (легирование) или освещение способны изменить проводимость в миллионы раз. Главные полупроводники: кремний (Si), германий (Ge), арсенид галлия (GaAs), нитрид галлия (GaN).
Полупроводниковые свойства впервые наблюдал Майкл Фарадей в 1833 году на сульфиде серебра. Систематические исследования начал Карл Фердинанд Браун в 1874 году, изучая выпрямляющий контакт. Квантовая теория твёрдого тела, созданная в 1930-х годах Блохом, Пайерлсом и Вильсоном, объяснила зонную структуру. Изобретение точечного транзистора Бардином, Браттейном и Шокли в 1947 году открыло эру полупроводниковой электроники. Позднее Лео Эсаки создал туннельный диод (1957), а Судзи Накамура разработал эффективный синий светодиод на GaN (1990-е), завершив спектр для белых источников света.
Равновесное распределение электронов по энергиям описывается статистикой Ферми — Дирака, уровень Ферми лежит в запрещённой зоне. Внешнее напряжение или освещение создают неравновесные носители, формируя электрический ток. В p-n переходе диффузия носителей формирует обеднённый слой со встроенным полем, обеспечивающим выпрямление. В биполярном транзисторе малый ток базы управляет большим током коллектора. Полевые транзисторы (MOSFET) используют поле затвора для модуляции проводимости канала. Равновесие концентраций подчиняется закону np = n_i², а полный ток описывается дрейфово-диффузионной моделью.
Основа всей микроэлектроники: процессоры, солнечные панели, светодиоды в лампах и экранах, лазеры в оптоволокне.
Кремний — второй по распространённости элемент земной коры после кислорода. Именно он стал основой микроэлектроники не только из-за обилия, но и благодаря своему оксиду SiO₂ — отличному изолятору, позволившему создавать планарные транзисторы на одной пластине.
| σ_total | переменная | полная проводимость — electrical conductivity См/м |
| σ_cond | переменная | проводимость от конденсированных (когерентных) носителей — electrical conductivity См/м |
| σ_fluct | переменная | проводимость от флуктуирующих (некогерентных) носителей — electrical conductivity См/м |
















