
Полупроводниковое соединение, используемое для высокоскоростных электронных и фотонных применений.Арсенид галлия (GaAs) — это полупроводниковое соединение, состоящее из равных частей галлия и мышьяка. В отличие от кремния, который доминирует в электронной промышленности, GaAs обладает гораздо более высокой подвижностью электронов, что означает, что электроны могут двигаться через него быстрее. Это делает его материалом выбора для высокоскоростной электроники, такой как транзисторы в усилителях мобильных телефонов и спутниковой связи, а также для фотонных устройств, таких как лазерные диоды и светоизлучающие диоды (LED).
Арсенид галлия был впервые синтезирован и изучен в 1950-х годах, ранние работы проводились в таких учреждениях, как Bell Labs и RCA. Его потенциал для высокочастотных и оптоэлектронных применений был быстро признан, и к 1960-м годам были продемонстрированы лазерные диоды на основе GaAs.
В GaAs кристаллическая решётка имеет структуру цинковой обманки, где каждый атом галлия связан с четырьмя атомами мышьяка. Ключевое преимущество — прямая запрещённая зона: когда электрон переходит из зоны проводимости в валентную зону, он может непосредственно испускать фотон. В кремнии этот переход является непрямым, требуя фонона (колебания решётки) для сохранения импульса, что делает излучение света крайне неэффективным. Прямая зона GaAs позволяет эффективно преобразовывать электрический ток в свет и наоборот, что обеспечивает работу лазеров и фотодетекторов.
GaAs используется в высокочастотных радарных системах, усилителях мощности смартфонов, лазерных указках и инфракрасных светодиодах в оптических мышах и пультах дистанционного управления. Он также лежит в основе фотодетекторов в волоконно-оптических сетях связи.
Солнечные элементы на основе GaAs настолько эффективны, что используются почти на всех космических аппаратах, включая марсоходы, несмотря на то, что они дороже кремниевых элементов.
























