Un microchip del tamaño de una uña genera tanto calor como una bombilla pequeña. Disipar ese calor es como intentar vaciar una taza de té hirviendo con una cucharilla: el material aislante que rodea los transistores normalmente conduce mal el calor. El diamante conduce el calor cien veces mejor, pero cultivarlo sobre un microchip ya fabricado se topa con un obstáculo: la alta temperatura, que el silicio no soporta.

Los investigadores han encontrado la solución: cultivaron una película de diamante directamente sobre silicio a menos de 400 °C, algo así como hornear un pastel sin superar la temperatura a la que el relleno ya está listo pero la masa sigue cruda. Las películas, de 760 y 1000 nanómetros de grosor (mil veces más finas que un cabello humano), se probaron con tres métodos: transmisión láser, microscopio electrónico y medición de la respuesta térmica.

La conductividad térmica de las películas resultó ser de 73 y 86 vatios por metro-kelvin, aproximadamente cien veces mayor que la de los aislantes habituales como el óxido de silicio. Esto significa que el calor del transistor se desvía hacia los lados como el agua por una canaleta ancha, en lugar de filtrarse a través de la arena. Estas capas de diamante pueden aplicarse sobre microchips ya terminados sin destruirlos, y se convertirían en un disipador dentro del chip, allí donde antes el calor quedaba atrapado.