
Un compuesto semiconductor duro utilizado como sustrato que soporta la película delgada en este experimento.El carburo de silicio (SiC) es un semiconductor compuesto de silicio y carbono. Se caracteriza por su extrema dureza, alta conductividad térmica y capacidad para operar a altas temperaturas, voltajes y frecuencias. En el contexto del experimento, sirve como un sustrato robusto para el crecimiento de películas delgadas, proporcionando una base cristalina estable que influye en las propiedades de la película.
El carburo de silicio fue sintetizado por primera vez en 1891 por Edward Goodrich Acheson, quien intentaba crear diamantes artificiales. Sus propiedades semiconductoras fueron reconocidas a principios del siglo XX, pero las aplicaciones comerciales se desarrollaron mucho más tarde debido a las dificultades para producir cristales de alta pureza.
El carburo de silicio tiene una banda prohibida ancha (alrededor de 3.26 eV para el politipo 4H-SiC), lo que significa que puede soportar campos eléctricos elevados sin descomponerse. Sus fuertes enlaces covalentes le confieren una excepcional resistencia mecánica y estabilidad térmica. Como sustrato, su estructura cristalina y química superficial determinan cómo se ordenan los átomos depositados, permitiendo el crecimiento epitaxial de películas de alta calidad.
El carburo de silicio se utiliza en electrónica de alta potencia, como inversores de vehículos eléctricos y sistemas de redes eléctricas, así como en LED y como sustrato para grafeno y otros materiales bidimensionales.
El carburo de silicio es uno de los materiales más duros conocidos, situándose justo por debajo del diamante y del nitruro de boro en la escala de Mohs.























