
The transistor is an electronic device invented for amplifying or switching electrical signals.في نهاية عام 1947، في مختبرات بيل، قام فريق بقيادة ويليام شوكلي بالإضافة إلى جون باردين ووالتر براتين بتصنيع أول ترانزستور نقطي عامل. حصلوا على جائزة نوبل عام 1956 عن هذا الاكتشاف. يعتمد مبدأ العمل على خصائص الوصلات شبه الموصلة p-n: حيث يمكن التحكم في التيار المار عبر الوصلة بواسطة حقن حاملات الشحنة الأقلية.
اخترع جون باردين ووالتر براتين أول ترانزستور نقطي في 23 ديسمبر 1947 في مختبرات بيل تحت إشراف ويليام شوكلي. وفي عام 1948، طور شوكلي نظرية الوصلة p-n واقترح الترانزستور ثنائي القطب المستوي. وفي عام 1954، ظهر الترانزستور السيليكوني (تكساس إنسترومنتس). وفي عام 1959، أنشأ روبرت نويس وجاك كيلبي بشكل مستقل الدائرة المتكاملة التي جمعت العديد من الترانزستورات على رقاقة واحدة، مما بدأ عصر الإلكترونيات الدقيقة.
الترانزستورات الحديثة هي في الغالب MOSFET (معدن-أكسيد-شبه موصل)، حيث يتم التحكم في تيار القناة بجهد البوابة. لقد وصل التصغير (قانون مور) إلى تقنيات 3 نانومتر، لكنه يواجه تأثيرات كمومية (النفق عبر العازل تحت البوابة) ومشكلة تبديد الحرارة. حدود التطبيق: على المقاييس النانوية، تبدأ ظواهر تكميم الشحنة والتشابك الكمومي في الظهور.
أساس جميع المعالجات الدقيقة والذواكر والمضخمات – من الهواتف الذكية إلى الأقمار الصناعية.
جُمِعَ أول ترانزستور على قطعة من الجرمانيوم مع ملامسات ذهبية مضغوطة بزنبرك، وبدا وكأنه كومة من الصفائح المعدنية والمشابك. كان بحجم عملة معدنية كبيرة، أما اليوم فالترانزستورات في المعالجات أصغر من الفيروس.


