عيب أو ذرة أجنبية في مادة يمكن أن تغير خصائصها الفيزيائية، مثل الموصلية الكهربائية.الشائبة هي ذرة أجنبية أو عيب يُدخل عمدًا أو عرضيًا في الشبكة البلورية لمادة ما. حتى بتركيزات لا تتجاوز أجزاء في المليون، يمكن للشوائب أن تغير بشكل كبير الخصائص الكهربائية والبصرية والمغناطيسية والميكانيكية للمادة. في أشباه الموصلات، تشكل الشوائب أساس الإلكترونيات الحديثة: إضافة الفوسفور إلى السيليكون ينتج مادة من النوع n مع إلكترونات حرة إضافية، بينما ينتج البورون مادة من النوع p مع "ثقوب" إلكترونية تعمل كحاملات شحنة موجبة. التحديد الدقيق لمواضع الشوائب هو ما يسمح للترانزستورات والدايودات والدوائر المتكاملة بالعمل.
بدأت الدراسة المنهجية للشوائب في المواد الصلبة في أوائل القرن العشرين مع تطور ميكانيكا الكم. تضمنت نظرية النطاقات للمواد الصلبة التي وضعها آلان ويلسون عام 1931 مستويات الشوائب بشكل صريح، مما فسر لماذا تتصرف أشباه الموصلات المشوبة بشكل مختلف عن البلورات النقية. انطلق الاستغلال العملي للشوائب في عام 1947 مع اختراع الترانزستور في مختبرات بيل.
تعمل الشوائب على كسر الانتظام الدوري للشبكة البلورية. يؤدي هذا الاضطراب إلى إنشاء حالات طاقة موضعية داخل فجوة النطاق للمادة — وهي نطاق الطاقة الذي لا يمكن للإلكترونات أن توجد فيه عادة. يمكن لهذه الحالات أن تمنح أو تستقبل إلكترونات، مما يغير موصلية المادة. في الموصلات الفائقة، يمكن للشوائب أن تعمل كمراكز تثبيت تمسك خطوط التدفق المغناطيسي في مكانها، مما يسمح بتيارات أعلى دون مقاومة. في الأنظمة الكمومية، يمكن لشائبة في "بحر كمومي" من الإلكترونات أن تتحول إلى بولارون — وهو شبه جسيم حيث تسحب الشائبة سحابة من التشوه الشبكي أثناء حركتها، مما يزيد كتلتها الفعلية ويغير حركتها.
تطعيم الشوائب هو التقنية الأساسية لجميع أجهزة أشباه الموصلات، من رقائق الحاسوب إلى الخلايا الشمسية. في الفيزياء الفلكية، تؤثر الشوائب في بلازما النجوم على عمليات التبلور في الأقزام البيضاء، مما يؤثر على معدلات تبريدها وخصائصها المرصودة.
في بلورة سيليكون، إضافة ذرة فوسفور واحدة فقط لكل مليار ذرة سيليكون تزيد الموصلية الكهربائية بعامل يبلغ حوالي ألف.



