The London equations describe how superconductors expel magnetic fields through the Meissner effect.في عام 1933، اكتشف فالتر مايسنر وروبرت أوكسينفيلد أن القصدير البارد يطرد المجال المغناطيسي بالكامل من داخله. وكان هذا يتعارض مع المعادلات العادية للكهروديناميكا (electrodynamics). وبعد عامين، اقترح الأخوان فريتز وهاينز لندن تعديلين بسيطين على معادلات ماكسويل (Maxwell's equations) وصفا هذه الظاهرة رياضياً. قدّما مفهوم كثافة الإلكترونات فائقة التوصيل (superconducting electron density) وعمق اختراق المجال المميز (characteristic penetration depth). واليوم، تشكّل هذه المعادلات أساس نظرية الموصلية الفائقة من النوع الأول (Type I superconductivity). يختلف عمق الاختراق باختلاف المواد: للألمنيوم 50 نانومتر، وللرصاص 37 نانومتر. تُستخدم هذه الخاصية لصنع كواشف المجال المغناطيسي فائقة الحساسية – السكويدات (SQUIDs).
بعد اكتشاف مايسنر وأوكسينفيلد في عام 1933 الطرد الكامل للمجال المغناطيسي من الموصل الفائق، ظهرت الحاجة إلى وصف نظري. في عام 1935، نشر الأخوان فريتز وهاينز لندن، اللذان كانا يعملان في أكسفورد، ورقتين بحثيتين اقترحا فيهما تعديلاً على الكهروديناميكا للموصلات الفائقة. تمثّلت فكرتهما في اعتبار الإلكترونات فائقة التوصيل كسائل عديم المقاومة يتسارع بالمجال الكهربائي. أدخل لندن ثابتين أساسيين: تركيز الحاملات فائقة التوصيل nₛ وعمق الاختراق λ. لاحقاً، عُمِّم نهجهما في نظرية غينزبورغ-لانداو (Ginzburg-Landau theory) وفي نظرية BCS المجهرية (BCS microscopic theory).
تُستخدم معادلات لندن لحساب توزع المجال المغناطيسي والتيار في الموصلات الفائقة من النوع الأول، وكذلك قرب سطح أي موصل فائق. وهي تصف جيداً تأثير مايسنر وسلوك التيار في المجالات الضعيفة. ومع ذلك، فإن قابليتها للتطبيق محدودة: فهي لا تفسر السلوك في المجالات القوية التي تدمّر الموصلية الفائقة، ولا تفرّق بين الموصلات الفائقة من النوعين الأول والثاني. كما أن نظرية لندن لا تأخذ في الاعتبار التأثيرات الكمومية (quantum effects)، مثل تشكل أزواج كوبر (Cooper pairs).
على هذا الأساس تُصنع مغانط التصوير بالرنين المغناطيسي (MRI magnets)، والقطارات فائقة السرعة على الوسادة المغناطيسية (maglev)، والكابلات غير المسخّنة.
يختلف عمق الاختراق باختلاف المواد: للألمنيوم 50 نانومتر، وللرصاص 37 نانومتر. تُستخدم هذه الخاصية لصنع كواشف المجال المغناطيسي فائقة الحساسية – السكويدات (SQUIDs).


















