
Отсутствие атома кислорода в узле кристаллической решётки, влияющее на свойства материала.Кислородная вакансия — это точечный дефект кристаллической решётки, при котором атом кислорода отсутствует на своём регулярном месте. Это, казалось бы, незначительное отсутствие может кардинально изменить электронные, оптические и магнитные свойства материала. В оксидах металлов кислородные вакансии часто выступают в роли носителей заряда или центров захвата, влияя на проводимость, каталитическую активность и даже магнитное упорядочение. Они играют ключевую роль в понимании поведения многих функциональных материалов — от полупроводников до сверхпроводников.
Концепция точечных дефектов в кристаллах была формализована Френкелем и Шоттки в 1920-х годах, а кислородные вакансии стали активно изучаться в середине XX века с развитием понимания оксидов переходных металлов.
Когда атом кислорода покидает решётку, его два электрона остаются, обычно локализуясь на соседних ионах металла или образуя дефектное состояние в запрещённой зоне. Это изменяет локальный баланс зарядов и может вводить новые энергетические уровни, которые поглощают свет или облегчают перенос электронов. Вакансия также может искажать окружающую решётку, создавая поля напряжений, влияющие на дальний порядок, такой как ферромагнетизм или сегнетоэлектричество.
Кислородные вакансии создаются в материалах для таких применений, как твердооксидные топливные элементы, резистивная память с переключением (мемристоры) и катализаторы для расщепления воды.
В некоторых двумерных материалах одна-единственная кислородная вакансия может индуцировать магнитный момент, достаточно большой, чтобы его можно было обнаружить при комнатной температуре, фактически превращая немагнитный лист в магнит.


