Shuji Nakamura

Биография

Сюдзи Накамура родился в префектуре Эхимэ, Япония. Окончил Университет Токусимы по специальности «электронная инженерия». В 1979 году начал работать в небольшой компании Nichia Chemical Industries, где занимался полупроводниками. В 1990-е, не имея бюджета и поддержки, в одиночку создал технологию выращивания кристаллов нитрида галлия (GaN) для синих светодиодов. Позже переехал в США, стал профессором Калифорнийского университета в Санта-Барбаре. В 2014 году получил Нобелевскую премию по физике вместе с Исаму Акасаки и Хироси Амано за изобретение эффективных синих светодиодов.

Ключевые открытия

• Синий светодиод высокой яркости: разработал метод получения p-слоя в нитриде галлия путем термического отжига, что позволило создать яркий синий LED. Это привело к появлению энергоэффективного белого освещения (в комбинации с люминофором).
• Синий полупроводниковый лазер: первым создал лазерный диод на основе GaN, открыв путь для Blu-ray дисков, лазерных проекторов и медицинского оборудования.
• Промышленная технология MOCVD: усовершенствовал метод осаждения из металлорганических соединений для выращивания высококачественных кристаллов нитридов, что стало стандартом в оптоэлектронике.