
Кремний — полупроводниковый материал, используемый в квантовых устройствах, детектировании волн и кристаллических структурах благодаря своим электронным свойствам.Кремний (Si) — металлоид, то есть элемент с промежуточными свойствами между металлами и неметаллами. Его атомы выстраиваются в решётку, похожую на алмаз. Это второй по распространённости элемент земной коры, встречается в кварце и силикатах. Ширина запрещённой зоны 1,1 эВ делает его классическим полупроводником: при легировании фосфором появляются свободные электроны (n-тип), а с бором — дырки (p-тип). Контакт p- и n-областей образует p–n-переход, основу диодов, транзисторов и солнечных элементов.
Йёнс Якоб Берцелиус выделил аморфный кремний в 1824 году, а Анри Сент-Клер Девиль получил кристаллический кремний в 1854-м. Первый точечный транзистор (1947) работал на германии, но кремний быстро его вытеснил. В 1954 году Моррис Таненбаум создал первый кремниевый транзистор в Bell Labs. Лео Эсаки внёс вклад в понимание переходов, исследуя квантовое туннелирование и изобретя туннельный диод. С тех пор миниатюризация идёт по экспоненте, приближаясь к физическим пределам.
При контакте n- и p-областей возникает обеднённая область, создающая потенциальный барьер. При прямом смещении ток экспоненциально растёт, при обратном — запирается. Это свойство выпрямления описывается диодным уравнением. В полевых транзисторах металл-оксид-полупроводник (MOSFET) напряжение на затворе управляет проводимостью канала. Работа основана на электростатике, уравнении Пуассона и статистике носителей (распределение Ферми — Дирака). В солнечных элементах p–n-переход разделяет фотогенерированные электрон-дырочные пары, создавая электрический ток.
Микросхемы в каждом телефоне и ноутбуке; солнечные батареи на крышах; стекло и бетон вокруг нас.
Вся Кремниевая долина названа в честь этого элемента. Первый кремниевый транзистор был сделан в 1954 году, и с тех пор количество транзисторов на чипе удваивается примерно каждые два года (закон Мура).


















