Дефект или чужеродный атом в материале, который может изменять его физические свойства, такие как электропроводность.Примесь — это чужеродный атом или дефект, намеренно или случайно введённый в кристаллическую решётку материала. Даже при концентрациях порядка миллионных долей примеси могут кардинально менять электрические, оптические, магнитные и механические свойства материала. В полупроводниках примеси — основа современной электроники: добавление фосфора в кремний создаёт материал n-типа с дополнительными свободными электронами, а бор — материал p-типа с электронными «дырками», которые ведут себя как положительные носители заряда. Контролируемое введение примесей — то, что позволяет работать транзисторам, диодам и интегральным схемам.
Систематическое изучение примесей в твёрдых телах началось в начале XX века с развитием квантовой механики. Зонная теория твёрдых тел Алана Уилсона 1931 года явно включала примесные уровни, объясняя, почему легированные полупроводники ведут себя иначе, чем чистые кристаллы. Практическое использование примесей началось в 1947 году с изобретением транзистора в Bell Labs.
Примеси нарушают идеальную периодичность кристаллической решётки. Это нарушение создаёт локализованные энергетические состояния в запрещённой зоне материала — области энергий, где электроны в норме существовать не могут. Эти состояния могут отдавать или принимать электроны, изменяя проводимость материала. В сверхпроводниках примеси могут служить центрами пиннинга, удерживающими линии магнитного потока, что позволяет пропускать большие токи без сопротивления. В квантовых системах примесь в «квантовом море» электронов может стать поляроном — квазичастицей, в которой примесь тащит за собой облако искажения решётки, эффективно набирая массу и меняя свою подвижность.
Легирование примесями — ключевая технология всех полупроводниковых устройств, от компьютерных чипов до солнечных батарей. В астрофизике примеси в звёздной плазме влияют на процессы кристаллизации в белых карликах, определяя их скорость охлаждения и наблюдаемые свойства.
В кристалле кремния добавление всего одного атома фосфора на миллиард атомов кремния увеличивает электропроводность примерно в тысячу раз.



