
Une mesure de la rapidité avec laquelle un électron se déplace dans un matériau sous l'effet d'un champ électrique appliqué.La mobilité des électrons est une propriété fondamentale des matériaux qui quantifie la vitesse à laquelle un électron peut dériver à travers une substance lorsqu'un champ électrique est appliqué. Elle est définie comme le rapport entre la vitesse de dérive de l'électron et l'intensité du champ électrique, généralement mesurée en cm²/(V·s). Une mobilité élevée signifie que les électrons se déplacent rapidement et avec peu de diffusion, ce qui est crucial pour les dispositifs électroniques comme les transistors, où une commutation plus rapide et une consommation d'énergie plus faible sont souhaitées. La mobilité est influencée par la structure cristalline du matériau, la température, les impuretés et les défauts.
Le concept de mobilité des électrons a été développé au début du XXe siècle avec le modèle de Drude (1900), puis affiné par Arnold Sommerfeld et d'autres avec la mécanique quantique. L'effet Hall, découvert en 1879, a fourni un moyen pratique de mesurer la mobilité.
Lorsqu'un champ électrique est appliqué, les électrons accélèrent mais entrent constamment en collision avec les vibrations du réseau (phonons), les impuretés et d'autres électrons. Ces collisions diffusent les électrons, limitant leur vitesse nette. La mobilité est essentiellement une mesure de la capacité des électrons à éviter la diffusion. Dans un cristal parfait au zéro absolu, la mobilité serait infinie, mais en réalité, elle est finie. La mobilité est déterminée par le temps moyen entre les collisions (le temps de relaxation) et la masse effective de l'électron : un temps de relaxation plus élevé et une masse effective plus faible conduisent à une mobilité plus élevée.
La mobilité des électrons est un paramètre clé dans la conception de transistors à haute vitesse, de cellules solaires et de diodes électroluminescentes. Des matériaux comme l'arséniure de gallium (GaAs) sont prisés pour leur mobilité électronique élevée, permettant une électronique plus rapide que le silicium.
Le graphène possède l'une des mobilités électroniques les plus élevées connues à température ambiante, dépassant 200 000 cm²/(V·s), soit plus de 100 fois celle du silicium.





