Локальный минимум в зоне проводимости полупроводника, представляющий собой отдельное электронное состояние.В физике полупроводников долина — это локальный минимум в зоне проводимости (или максимум в валентной зоне) в пространстве импульсов. Электроны в кристалле могут занимать состояния вблизи этих минимумов, и каждая долина представляет собой отдельный набор электронных состояний с определённым импульсом и эффективной массой. В таких материалах, как кремний или графен, существует несколько долин, и степень свободы долины — то, какую долину занимает электрон, — может использоваться как носитель информации, аналогично спину электрона. Это привело к возникновению области долитроники, которая ставит целью кодирование и управление информацией с помощью долинных состояний.
Концепция долин в полупроводниках восходит к 1950-м годам, когда начались ранние работы по многодолинной зонной структуре кремния, выполненные Коньерсом Херрингом и другими. Термин «долитроника» был введён в 2000-х годах, когда исследователи начали изучать степень свободы долины для обработки информации.
Зонная структура полупроводника возникает из-за периодического потенциала кристаллической решётки. Электроны вблизи долины ведут себя как свободные частицы, но с эффективной массой, которая зависит от кривизны зоны в этой точке. Прикладывая внешние поля — электрические, магнитные или оптические, — можно избирательно заселять или считывать электроны в разных долинах. В таких материалах, как дихалькогениды переходных металлов (например, диселенид вольфрама), долины связаны с поляризацией света, что позволяет оптически управлять заселением долин.
Долитроника исследуется для создания электронных и оптоэлектронных устройств следующего поколения, таких как транзисторы на основе долин и излучатели света с долинной поляризацией, которые могут обеспечить более быстрые и энергоэффективные вычисления.
В графене электроны в разных долинах ведут себя так, как если бы они обладали противоположным «псевдоспином», и эта степень свободы долины настолько устойчива, что её можно использовать для создания топологически защищённых состояний, нечувствительных к рассеянию.



