Процесс удаления электронов из материала, изменяющий его электронные и магнитные свойства.Дырочное легирование — это процесс удаления электронов из материала, в результате чего в электронной структуре возникают положительно заряженные «дырки». Этот метод является фундаментальным в материаловедении и физике конденсированного состояния, поскольку позволяет исследователям настраивать электронные, магнитные и оптические свойства материала. Регулируя концентрацию дырок, учёные могут вызывать резкие фазовые переходы, такие как превращение изолятора в проводник или металла в сверхпроводник.
Концепция дырок была введена в конце 1920-х годов Рудольфом Пайерлсом и Вернером Гейзенбергом, а позже формализована Львом Ландау. Конкретная техника легирования полупроводников акцепторными примесями для создания дырок была разработана в 1940-х и 1950-х годах, что привело к изобретению транзистора.
В кристаллической решётке электроны занимают энергетические зоны. Удаление электрона оставляет вакансию, или дырку, которая ведёт себя как положительно заряженная частица. Эта дырка может перемещаться по решётке, когда соседние электроны перескакивают в вакансию, фактически перенося ток. Введение дырок сдвигает уровень Ферми и изменяет плотность состояний на поверхности Ферми, что, в свою очередь, меняет реакцию материала на электрические поля, магнитные поля и свет.
Дырочное легирование необходимо в полупроводниковой технологии, где оно используется для создания p-областей в диодах, транзисторах и солнечных элементах. Это также ключевой инструмент в исследованиях высокотемпературных сверхпроводников, где дырочное легирование слоёв оксида меди индуцирует сверхпроводимость.
В высокотемпературных сверхпроводниках критическая температура (при которой появляется сверхпроводимость) может быть настроена точным контролем уровня дырочного легирования, причём максимальная Tc достигается при определённой концентрации «оптимального легирования».





