
Добавление небольших количеств примесей к полупроводнику для контроля его электрической проводимости.Легирование — это намеренное введение крошечных количеств атомов примесей в кристалл полупроводника для настройки его электрических свойств. Чистые полупроводники, такие как кремний, являются плохими проводниками, но добавление элементов с большим или меньшим числом валентных электронов — например, фосфора (лишний электрон) или бора (недостающий электрон) — создает свободные носители заряда, которые резко увеличивают проводимость. Этот процесс лежит в основе всей современной электроники, от микросхем до солнечных батарей.
Концепция легирования возникла в 1940-х годах в Bell Labs, где исследователи, такие как Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли, разработали первый работающий транзистор, тщательно легируя германий. Термин «легирование» был заимствован из химии, где он описывал добавление примесей для изменения свойств.
Когда атом примеси замещает атом кремния в кристаллической решетке, он либо отдает лишний электрон в зону проводимости (легирование n-типа), либо создает «дырку», которая действует как положительный носитель заряда (легирование p-типа). Концентрация и тип примесей определяют проводимость материала и позволяют инженерам создавать переходы — например, p-n-переходы, — которые необходимы для диодов, транзисторов и других полупроводниковых устройств.
Легирование используется практически в каждом полупроводниковом устройстве: компьютерных процессорах, светодиодах, солнечных панелях и датчиках. Оно также играет роль в квантовых вычислениях, где легированный кремний используется для создания кубитов с длительным временем когерентности.
Первый транзистор, созданный в 1947 году, использовал кусочек золотой фольги, прижатый к легированному германию — все устройство было размером примерно со скрепку, но оно произвело революцию во всей современной технологии.








