Un mínimo local en la banda de conducción de un semiconductor, que representa un estado electrónico distinto.En la física de semiconductores, un valle es un mínimo local en la banda de conducción (o un máximo en la banda de valencia) en el espacio de momentos. Los electrones en un cristal pueden ocupar estados cerca de estos mínimos, y cada valle representa un conjunto distinto de estados electrónicos con momento y masa efectiva específicos. En materiales como el silicio o el grafeno, existen múltiples valles, y el grado de libertad de valle — qué valle ocupa un electrón — puede usarse como portador de información, similar al espín del electrón. Esto ha dado lugar al campo de la valleytrónica, que busca codificar y manipular información mediante estados de valle.
El concepto de valles en semiconductores se remonta a la década de 1950, con los primeros trabajos sobre la estructura de bandas multivalle del silicio realizados por Conyers Herring y otros. El término 'valleytrónica' se acuñó en la década de 2000, cuando los investigadores comenzaron a explorar el grado de libertad de valle para el procesamiento de información.
La estructura de bandas de un semiconductor surge del potencial periódico de la red cristalina. Los electrones cerca de un valle se comportan como partículas libres, pero con una masa efectiva que depende de la curvatura de la banda en ese punto. Al aplicar campos externos — eléctricos, magnéticos u ópticos — se pueden poblar o leer selectivamente electrones en diferentes valles. En materiales como los dicalcogenuros de metales de transición (por ejemplo, el diseleniuro de tungsteno), los valles están acoplados a la polarización de la luz, lo que permite un control óptico de la población de valles.
La valleytrónica se está explorando para dispositivos electrónicos y optoelectrónicos de próxima generación, como transistores basados en valles y emisores de luz con polarización de valle, que podrían ofrecer una computación más rápida y eficiente energéticamente.
En el grafeno, los electrones en diferentes valles se comportan como si tuvieran un 'pseudoespín' opuesto, y este grado de libertad de valle es tan robusto que puede usarse para crear estados topológicamente protegidos que son inmunes a la dispersión.



