Синий светодиод — это светоизлучающий диод, созданный с использованием европия для получения более яркого и стабильного синего света.Путь к синему светодиоду занял несколько десятилетий. Основная трудность: получить полупроводник с шириной запрещённой зоны около 3.4 эВ (что соответствует синему свету) и легировать его p-типом (добавить примеси для создания проводимости дырочного типа). Shuji Nakamura в японской компании Nichia впервые создал высококачественные плёнки GaN на сапфировой подложке и разработал метод термического отжига для активации акцепторов магния, получив p-GaN. В 1993 году он продемонстрировал яркий синий светодиод, а позже — первый синий лазер.
В 1970-х Jacques Pankove (RCA) получил первое синее свечение GaN, но без p-легирования. В 1986 году Isamu Akasaki и Hiroshi Amano впервые создали p-GaN с помощью электронно-лучевого облучения. Shuji Nakamura, работая независимо в Nichia, в 1993 году применил термический отжиг и разработал структуру с двойной гетероструктурой InGaN/GaN, что привело к коммерчески успешному синему светодиоду. В 2014 году Akasaki, Amano и Nakamura получили Нобелевскую премию «за изобретение эффективных синих светодиодов, позволивших создать яркие и энергосберегающие источники белого света».
Синие светодиоды служат основой для твердотельного освещения (LED-лампы) и дисплеев (OLED, microLED). Они также применяются в лазерных диодах для дисководов Blu-ray (λ=405 нм) и системах Li-Fi (передача данных видимым светом). Ограничения: эффективность всё ещё падает при высоких плотностях тока («droop»), и существуют проблемы деградации при длительной работе.
Благодаря синему светодиоду мы имеем экономичное светодиодное освещение, экраны телефонов и телевизоров с полным цветовым охватом, лазерные проекторы.
Shuji Nakamura был удостоен Нобелевской премии в 2014 году, но его компания Nichia первоначально выплатила ему премию всего в 200 долларов за изобретение, после чего разразился многолетний судебный процесс.



