
Añadir pequeñas cantidades de impurezas a un semiconductor para controlar su conductividad eléctrica.El dopaje es la introducción deliberada de cantidades diminutas de átomos de impureza en un cristal semiconductor para ajustar sus propiedades eléctricas. Los semiconductores puros como el silicio son malos conductores, pero añadir elementos con más o menos electrones de valencia — como el fósforo (electrón extra) o el boro (electrón faltante) — crea portadores de carga libres que aumentan drásticamente la conductividad. Este proceso es la base de toda la electrónica moderna, desde los microchips hasta las células solares.
El concepto de dopaje surgió en la década de 1940 en los Laboratorios Bell, donde investigadores como John Bardeen, Walter Brattain y William Shockley desarrollaron el primer transistor funcional dopando cuidadosamente germanio. El término 'dopaje' se tomó prestado de la química, donde describía la adición de impurezas para alterar propiedades.
Cuando un átomo dopante reemplaza a un átomo de silicio en la red cristalina, o bien dona un electrón extra a la banda de conducción (dopaje tipo n) o crea un 'hueco' que actúa como portador de carga positiva (dopaje tipo p). La concentración y el tipo de dopantes determinan la conductividad del material y permiten a los ingenieros crear uniones — como las uniones p-n — que son esenciales para diodos, transistores y otros dispositivos semiconductores.
El dopaje se utiliza en prácticamente todos los dispositivos semiconductores: procesadores de computadora, LED, paneles solares y sensores. También juega un papel en la computación cuántica, donde el silicio dopado se utiliza para crear qubits con tiempos de coherencia largos.
El primer transistor, construido en 1947, utilizaba un trozo de lámina de oro presionado sobre germanio dopado — todo el dispositivo era aproximadamente del tamaño de un clip, y sin embargo revolucionó toda la tecnología moderna.








