تقنية تستغل الديناميكيات السريعة للغاية للإلكترونات لتحقيق أجهزة إلكترونية عالية السرعة.تعتمد الإلكترونيات فائقة السرعة على استغلال ديناميكيات الإلكترونات السريعة للغاية، عادةً على مقاييس زمنية تتراوح بين الفيمتوثانية (10^-15 ثانية) والبيكوثانية (10^-12 ثانية)، لتحقيق التبديل السريع ومعالجة الإشارات. يُحفَّز هذا المجال بالحاجة إلى اتصالات وحوسبة واستشعار أسرع، حيث تكون الإلكترونيات التقليدية محدودة بأزمنة عبور الحاملات والسعات الطفيلية. غالبًا ما تتضمن الإلكترونيات فائقة السرعة استخدام ليزرات الفيمتوثانية لإثارة حركة الإلكترونات وفحصها، بالإضافة إلى تطوير مواد وأجهزة قادرة على الاستجابة بترددات تيراهرتز.
ظهر هذا المجال في الثمانينيات مع تطوير ليزرات مقفلة النمط القادرة على إنتاج نبضات فيمتوثانية. أظهر العمل الرائد الذي قام به باحثون مثل دانيال أوستون في مختبرات بيل التبديل الكهروضوئي على مقاييس زمنية بيكوثانية، مما وضع الأساس للإلكترونيات فائقة السرعة الحديثة.
تعتمد الآلية الأساسية على حقيقة أن الإلكترونات في المواد يمكنها الاستجابة للحقول الكهرومغناطيسية على مقاييس زمنية أقصر بكثير من أزمنة التبديل للترانزستورات التقليدية. باستخدام نبضات ليزر فائقة السرعة، يمكن للباحثين توليد والتحكم في إشارات كهربائية بأزمنة صعود أقل من بيكوثانية. يمكن لأجهزة مثل المفاتيح الضوئية الموصلة، التي تستخدم نبضة ليزر لإنشاء اندفاع مفاجئ من حاملات الشحنة، إنتاج نبضات كهربائية بعرض نطاق يتجاوز عدة تيراهرتز. كما تُستكشف مواد متقدمة مثل الجرافين والعوازل الطوبولوجية لقدرتها العالية على حركة الإلكترونات واستجابتها فائقة السرعة.
تُستخدم الإلكترونيات فائقة السرعة في راسمات الذبذبات عالية السرعة، ومطيافية التيراهرتز لتوصيف المواد، وفي أنظمة الاتصالات عالية النطاق المستقبلية. كما تتيح دراسات زمنية لديناميكيات الإلكترونات في المواد، وهو أمر بالغ الأهمية لتطوير أجهزة إلكترونية من الجيل التالي.
في الإلكترونيات فائقة السرعة، تُعد سرعة الضوء عاملاً مقيدًا: في بيكوثانية واحدة، يقطع الضوء حوالي 0.3 مليمتر فقط، لذا يجب أن يكون الحجم الفيزيائي للمكونات صغيرًا للغاية لتحقيق هذه السرعة العالية.
















