Спектроскопический метод, используемый для изучения топологических электронных состояний и поверхностных свойств материалов.Топологическая спектроскопия — это набор экспериментальных методов, которые исследуют электронную структуру материалов, чтобы выявить их топологические свойства. Топологические материалы обладают электронными состояниями, защищёнными симметрией, — они устойчивы к беспорядку и деформациям. Эти состояния часто появляются на поверхности или краях материала, даже если объёмный материал является изолятором. Топологическая спектроскопия направлена на прямое наблюдение этих состояний и построение их энергетическо-импульсной зависимости, что необходимо для их понимания и использования.
Эта область возникла в середине 2000-х годов после теоретического предсказания топологических изоляторов Кейном и Меле (2005) и Берневигом, Хьюзом и Чжаном (2006). Первые экспериментальные подтверждения с помощью ARPES были получены в 2007–2009 годах для квантовых ям HgTe и сплавов BiSb.
Наиболее распространёнными методами являются фотоэмиссионная спектроскопия с угловым разрешением (ARPES) и сканирующая туннельная микроскопия (STM). ARPES освещает образец ультрафиолетовым или рентгеновским излучением и измеряет энергию и угол вылетающих электронов, непосредственно отображая зонную структуру. STM использует острую иглу для туннелирования электронов на поверхность или с неё, обеспечивая пространственное и энергетическое разрешение электронных состояний. В топологических материалах эти методы выявляют характерные конусы Дирака или спиральные поверхностные состояния, пересекающие запрещённую зону, что подтверждает топологическую природу материала.
Топологическая спектроскопия необходима для характеризации материалов для будущих квантовых компьютеров и спинтронных устройств, где устойчивые поверхностные состояния могут использоваться для передачи информации без рассеяния.
Поверхностные состояния топологического изолятора «спин-заблокированы» — направление спина электрона связано с его импульсом, что означает запрет обратного рассеяния, поэтому они проводят электричество без сопротивления беспорядку.
| n_s | переменная | Скалярный спектральный индекс — скалярный спектральный индекс |
| N | переменная | Число e-кратностей инфляции — e folds |



