Диэлектрический материал, используемый в качестве изолирующего барьера в джозефсоновских переходах.Оксид алюминия (Al₂O₃) — это диэлектрический материал с широкой запрещённой зоной, который в аморфной форме служит изолирующим барьером в джозефсоновских переходах — ключевом элементе сверхпроводящих кубитов. В таких переходах два сверхпроводящих электрода разделены тонким слоем оксида алюминия толщиной ~1–2 нм, через который куперовские пары туннелируют квантово-механически. Свойства этого оксидного слоя — его толщина, однородность и атомная структура — напрямую определяют энергетические уровни кубита, времена когерентности и шумовые характеристики. Приведённые заголовки подчёркивают его роль: толщина алюминия связана с шумом кубита, а внутренняя структура контакта перехода исследуется для понимания того, что ограничивает производительность.
Использование оксида алюминия в качестве туннельного барьера в джозефсоновских переходах восходит к 1960-м годам, после предсказания Джозефсона (1962) и первого создания сверхпроводящих туннельных переходов. Этот материал был выбран потому, что алюминий образует стабильный, самоограничивающийся природный оксид, который легко выращивать и который обеспечивает однородный барьер. Систематическое изучение его роли в декогеренции кубитов началось в 2000-х годах с развитием сверхпроводящих квантовых вычислений.
Оксид алюминия формируется путём окисления тонкой алюминиевой плёнки, обычно при воздействии кислорода или с помощью плазменного окисления. Полученный аморфный Al₂O₃ является хорошим изолятором с высокой диэлектрической проницаемостью (~9) и широкой запрещённой зоной (~8,8 эВ), что предотвращает утечку электронов, но допускает квантовое туннелирование куперовских пар. Толщина контролируется до нескольких нанометров; если она слишком велика, туннелирование подавляется, а если слишком мала, то из-за проколов возникают короткие замыкания. Атомная структура неупорядочена, а оборванные связи или захваченные заряды создают дефекты типа TLS, которые связываются с кубитом, вызывая потери энергии и дефазировку. Для характеристики этих дефектов исследователи используют такие методы, как просвечивающая электронная микроскопия и шумовая спектроскопия.
Оксид алюминия используется в каждом сверхпроводящем кубите (трансмон, флуксониум и др.) в качестве барьера джозефсоновского перехода, а также в солнечных элементах как слой пассивации поверхности, в мемристорах и в качестве защитного покрытия в микроэлектронике.
Толщина барьера из оксида алюминия в джозефсоновском переходе составляет всего около 1–2 нанометров — примерно 5–10 атомов в поперечнике, — однако она должна быть однородной с точностью до одного атомного слоя, чтобы кубит работал надёжно.
























