
Перемещение электрического заряда из одного материала или слоя в другой, изменяющее электронные свойства.Перенос заряда — это перемещение электрического заряда из одного материала или слоя в другой, что фундаментально изменяет электронные свойства системы. Этот процесс лежит в основе многих явлений физики конденсированного состояния — от генерации электричества на границах раздела материалов до поведения сложных материалов, таких как высокотемпературные сверхпроводники и органические полупроводники. Он объясняет, как контакт между разными материалами может создавать электрические поля, как свет может вызывать разделение зарядов в фотоэлектрических элементах и как накопление заряда влияет на работу электронных устройств.
Концепция переноса заряда изучается с начала XX века, начиная с основополагающих работ по контактной электризации и полупроводниковым переходам. Однако современное понимание переноса заряда в сложных материалах и на границах раздела сформировалось во второй половине XX века, особенно с появлением методов физики поверхности.
Перенос заряда происходит, когда электроны (или дырки) перемещаются из области с более высоким электрохимическим потенциалом в область с более низким потенциалом, часто через границу раздела. Это может быть вызвано различием работ выхода, приложенным напряжением или поглощением фотонов. Перенесённый заряд создаёт электрическое поле, которое изменяет зонную структуру вблизи границы раздела, приводя к таким эффектам, как изгиб зон, образование обеднённых слоёв или возникновение связанных состояний, например трионов.
Перенос заряда используется практически во всех электронных устройствах, включая транзисторы, солнечные элементы и батареи. Он также важен для новых технологий, таких как органическая электроника и перовскитные солнечные элементы, где эффективное разделение зарядов на границах раздела имеет решающее значение.
Когда вы трёте воздушный шарик о волосы, перенос заряда, из-за которого он прилипает, — это тот же фундаментальный процесс, который управляет работой самых совершенных полупроводниковых устройств.








