
مركب طبقي من التنجستن والسيلينيوم، يُدرس هنا لبنية إلكترونية غير عادية.ثنائي سيلينيد التنجستن هو مركب طبقي من التنجستن والسيلينيوم، ينتمي إلى عائلة ثنائي كالكوجينيدات المعادن الانتقالية. يتميز ببنية إلكترونية فريدة تتغير بشكل جذري عند تقليصه إلى طبقة واحدة، حيث يتحول من شبه موصل ذي فجوة غير مباشرة إلى شبه موصل ذي فجوة مباشرة. هذه الخاصية تجعله مثيرًا للاهتمام في الإلكترونيات الضوئية وإلكترونيات الأودية، حيث يمكن استخدام زخم الإلكترون ولفّه المغزلي لنقل المعلومات.
تم تصنيع ثنائي سيلينيد التنجستن لأول مرة في ستينيات القرن العشرين، لكن خصائص طبقته الأحادية لم تُستكشف إلا بعد اكتشاف الغرافين في عام 2004. وقد تم إثبات الفجوة المباشرة في الطبقات الأحادية في عام 2010.
في شكله الكتلي، يمتلك ثنائي سيلينيد التنجستن فجوة غير مباشرة، مما يعني أن الإلكترونات تحتاج إلى تغيير زخمها لإصدار الضوء. عند تقشيره إلى طبقة أحادية، تصبح الفجوة مباشرة، مما يسمح بإصدار وامتصاص فعال للضوء. كما تُظهر المادة اقترانًا مغزليًا-مداريًا قويًا، يربط لفّ الإلكترون بزخمه، مما يخلق حالات 'أودية' فريدة يمكن إثارتها بشكل انتقائي بضوء مستقطب دائريًا. وهذا يتيح التحكم في الخصائص الإلكترونية عبر وسائل بصرية.
يُستخدم في كاشفات ضوئية فائقة الرقة، وثنائيات باعثة للضوء، وأجهزة إلكترونيات الأودية، وكذلك في دراسات فيزياء الإكسيتونات والبصريات الكمومية.
في طبقة أحادية من ثنائي سيلينيد التنجستن، يمكن لتسليط ضوء مستقطب دائريًا أن يُحدث 'استقطابًا واديًا' حيث تمتلك الإلكترونات في أودية مختلفة لفّات متعاكسة، وهي خاصية يمكن استخدامها في حواسيب 'إلكترونيات الأودية' المستقبلية.

















