شريحة رقيقة من السيليكون البلوري تُستخدم كركيزة للأجهزة المصنعة بدقة.رقاقة السيليكون هي شريحة رقيقة دائرية من السيليكون أحادي البلورة عالي النقاء، وتُعد الركيزة الأساسية لمعظم الإلكترونيات الدقيقة الحديثة. تقريبًا جميع الدوائر المتكاملة والمعالجات الدقيقة ورقائق الذاكرة تُبنى على رقائق السيليكون. البنية البلورية المثالية للرقاقة وخصائصها شبه الموصلة تسمح بتصنيع دقيق لمليارات الترانزستورات على شريحة واحدة، مما مكّن الثورة الرقمية. إلى جانب الإلكترونيات، تُستخدم رقائق السيليكون أيضًا في الخلايا الكهروضوئية، والأنظمة الكهروميكانيكية الدقيقة (MEMS)، وكأساسات بصرية.
كان استخدام السيليكون كمادة شبه موصلة رائدًا في الأربعينيات والخمسينيات من القرن العشرين، حيث تم عرض أول ترانزستور سيليكوني في عام 1954. أدى تطوير العملية المستوية بواسطة جان هورني في عام 1959 والدائرة المتكاملة بواسطة روبرت نويس وجاك كيلبي إلى الاعتماد الواسع لرقائق السيليكون.
تُنتج رقائق السيليكون عن طريق نمو بلورة مفردة كبيرة من السيليكون (عبر عملية تشوخرالسكي) ثم تقطيعها إلى أقراص رفيعة. تُصقل الرقائق حتى تصبح سطحها مسطحًا على المستوى الذري. من خلال الطباعة الضوئية، والحفر، والتطعيم، تُنشأ أنماط معقدة من المناطق الموصلة والعازلة وشبه الموصلة على سطح الرقاقة، مما يشكل الدوائر الإلكترونية. تعمل الرقاقة كدعامة ميكانيكية وقاعدة شبه موصلة، حيث تُعدل خصائصها الكهربائية محليًا لإنشاء الترانزستورات والمكونات الأخرى.
رقائق السيليكون هي الركيزة القياسية لتصنيع جميع الرقائق الدقيقة تقريبًا، من معالجات الكمبيوتر إلى أجهزة الاستشعار في الهواتف الذكية، وكذلك للخلايا الشمسية في الألواح الكهروضوئية.
يمكن أن تحتوي رقاقة سيليكون حديثة واحدة على أكثر من 100 مليار ترانزستور، وهو عدد أكبر من عدد النجوم في مجرتنا.











