
مجال من الإلكترونيات يستغل مغزل الإلكترون بالإضافة إلى شحنته لمعالجة المعلومات.الإلكترونيات المغزلية هي مجال في الإلكترونيات يستغل، بالإضافة إلى الشحنة الكهربائية للإلكترون، زخمه الزاوي الجوهري — أي المغزل — لحمل المعلومات ومعالجتها. بينما تقوم الإلكترونيات التقليدية بتشفير البيانات في وجود أو غياب الشحنة (0 أو 1)، تضيف الإلكترونيات المغزلية درجة حرية ثانية: اتجاه المغزل، الذي يمكن أن يكون 'أعلى' أو 'أسفل'. وهذا يسمح بأجهزة مبتكرة تكون أسرع، وتستهلك طاقة أقل، ويمكنها تخزين المعلومات دون الحاجة إلى مصدر طاقة مستمر، لأن حالات المغزل يمكن أن تكون دائمة.
تأسس هذا المجال رسميًا في أواخر الثمانينيات والتسعينيات من القرن العشرين، بناءً على أعمال سابقة حول النقل المعتمد على المغزل. غالبًا ما يُستشهد باكتشاف المقاومة المغناطيسية العملاقة في عام 1988 من قبل ألبرت فير وبيتر غرونبرغ كميلاد الإلكترونيات المغزلية، مما أدى إلى جائزة نوبل في الفيزياء عام 2007.
في جهاز إلكتروني مغزلي، تُحقن الإلكترونات في مادة باستقطاب مغزلي متحكم فيه. يمكن التلاعب بالمغزل بواسطة مجالات مغناطيسية، أو مجالات كهربائية (عبر اقتران المدار المغزلي)، أو بتمرير تيار مستقطب مغزليًا عبر طبقات مغناطيسية. تتم قراءة حالة المغزل عن طريق تحويل معلومات المغزل مرة أخرى إلى إشارة شحنة، على سبيل المثال، من خلال تأثير المقاومة المغناطيسية العملاقة أو باستخدام وصلة نفق مغناطيسية. المفتاح هو الحفاظ على تماسك المغزل لفترة كافية لتنفيذ العمليات.
تُستخدم الإلكترونيات المغزلية بالفعل في رؤوس القراءة في محركات الأقراص الصلبة وفي الذاكرة المغناطيسية ذات الوصول العشوائي (MRAM)، ويُبحث في استخدامها في الدوائر المنطقية القائمة على المغزل والحوسبة الكمومية.
يمكن لمغزل الإلكترون في مجال مغناطيسي أن يسبق بترددات في نطاق الغيغاهرتز، ولهذا السبب يمكن للأجهزة الإلكترونية المغزلية أن تعمل بسرعات عالية جدًا.

















