
مركب شبه موصل يُستخدم في التطبيقات الإلكترونية والضوئية عالية السرعة.زرنيخيد الغاليوم (GaAs) هو شبه موصل مركب يتكون من أجزاء متساوية من الغاليوم والزرنيخ. على عكس السيليكون الذي يهيمن على صناعة الإلكترونيات، يوفر GaAs حركية إلكترونية أعلى بكثير، مما يعني أن الإلكترونات يمكن أن تتحرك عبره بشكل أسرع. وهذا يجعله المادة المفضلة للإلكترونيات عالية السرعة، مثل الترانزستورات في مضخمات الهواتف المحمولة والاتصالات عبر الأقمار الصناعية، وللأجهزة الضوئية مثل ثنائيات الليزر والثنائيات الباعثة للضوء (LEDs).
تم تصنيع ودراسة زرنيخيد الغاليوم لأول مرة في الخمسينيات من القرن العشرين، مع أعمال مبكرة في مؤسسات مثل مختبرات بيل وRCA. وقد أُدركت إمكاناته في التطبيقات عالية التردد والكهرضوئية بسرعة، وبحلول الستينيات، تم إثبات عمل ثنائيات ليزر GaAs.
في GaAs، تكون الشبكة البلورية من نوع بنية الزنك المكعبة، حيث ترتبط كل ذرة غاليوم بأربع ذرات زرنيخ. الميزة الرئيسية هي فجوة النطاق المباشرة: عندما يسقط إلكترون من نطاق التوصيل إلى نطاق التكافؤ، يمكنه إصدار فوتون مباشرة. في السيليكون، هذا الانتقال غير مباشر، ويتطلب فونونًا (اهتزازًا شبكيًا) للحفاظ على الزخم، مما يجعل انبعاث الضوء غير فعال للغاية. تسمح الفجوة المباشرة في GaAs بتحويل فعال للتيار الكهربائي إلى ضوء والعكس، مما يتيح عمل الليزر وكاشفات الضوء.
يُستخدم GaAs في أنظمة الرادار عالية التردد، ومضخمات الطاقة في الهواتف الذكية، ومؤشرات الليزر، والثنائيات الباعثة للأشعة تحت الحمراء في فئران الكمبيوتر البصرية وأجهزة التحكم عن بعد. كما يدعم كاشفات الضوء في شبكات الاتصالات عبر الألياف البصرية.
خلايا GaAs الشمسية فعالة جدًا لدرجة أنها تُستخدم في جميع المركبات الفضائية تقريبًا، بما في ذلك المركبات الجوالة على المريخ، على الرغم من أنها أغلى من خلايا السيليكون.
























