
مادة تتجه فيها العزوم المغناطيسية للذرات المتجاورة في اتجاهين متعاكسين، مما يؤدي إلى انعدام المغنطة الكلية.المغناطيس المضاد هو مادة تتموضع فيها العزوم المغناطيسية للذرات المتجاورة في اتجاهين متعاكسين، مما يُنشئ نمطًا منتظمًا من السبينات المتناوبة التي تلغي بعضها البعض لتُنتج مغنطة كلية صفرية. وعلى عكس المغناطيس الحديدي الذي يمتلك مجالًا مغناطيسيًا خارجيًا قويًا، يبدو المغناطيس المضاد محايدًا مغناطيسيًا من الخارج. ومع ذلك، فإن نظامه المغناطيسي الداخلي غني ومعقد، حيث تُرتَّب السبينات في شبكة تشبه رقعة الشطرنج. هذا النظام الخفي يُضفي خصائص فريدة، مثل ديناميكيات سبينية سريعة جدًا وعدم تأثره بالمجالات المغناطيسية الخارجية، مما يجعله في طليعة تطوير الإلكترونيات السبينية من الجيل القادم.
طُرح مفهوم المغناطيسية المضادة لأول مرة من قبل لويس نيل في عام 1936، الذي حصل لاحقًا على جائزة نوبل في الفيزياء عام 1970 عن هذا العمل. وجاء أول تأكيد تجريبي من دراسات حيود النيوترونات على أكسيد المنغنيز بواسطة كليفورد شال وج. صموئيل سمارت في عام 1949.
في المغناطيس المضاد، يُفضّل التفاعل التبادلي بين السبينات المتجاورة الترتيب المتعاكس. هذا التأثير الميكانيكي الكمومي، الناشئ عن مبدأ استبعاد باولي والتنافر الكولومبي، يُثبّت السبينات في نمط متناوب. تمتلك المادة درجة حرارة ترتيب مميزة تُسمى درجة حرارة نيل، والتي تتشكل دونها المغناطيسية المضادة. وفوق هذه الدرجة، تدمر التقلبات الحرارية النظام، وتصبح المادة مغناطيسية مسايرة. ولأن المغنطة الكلية صفرية، فإن المغناطيس المضاد لا يجذب أو يصد المغناطيسات، لكن يمكن التحكم في بنيته السبينية بواسطة التيارات الكهربائية أو الإجهاد الميكانيكي أو الإشعاع التيراهرتزي.
تُستخدم المغناطيسات المضادة في الوصلات النفقية المغناطيسية لرؤوس القراءة في الأقراص الصلبة، ويُستكشف استخدامها في أجهزة إلكترونية سبينية فائقة السرعة قد تعمل بترددات تيراهرتز، متجاوزةً بذلك حدود الإلكترونيات التقليدية.
في عام 2024، أظهر الباحثون أن نبضة تيراهرتز واحدة يمكنها عكس النظام المغناطيسي في مغناطيس مضاد دون تسخينه، مما قد يتيح تخزين بيانات أسرع بآلاف المرات من التقنيات الحالية.


















