
Светоиндуцированные эффекты в полупроводниках, такие как динамика носителей и индикация дефектов, без легирования.Взаимодействие света с полупроводниками — это различные способы, которыми свет и полупроводники влияют друг на друга, особенно генерация и динамика носителей заряда (электронов и дырок) при поглощении фотонов. Это взаимодействие лежит в основе многих оптоэлектронных устройств, но оно также раскрывает тонкие свойства материалов. Например, свет может возбуждать носители, которые затем рекомбинируют, испуская свет или тепло, и детали этих процессов могут указывать на наличие дефектов или примесей без необходимости химического легирования.
Фотоэлектрический эффект в полупроводниках был впервые объяснён Альбертом Эйнштейном в 1905 году, но современное понимание динамики носителей возникло с развитием физики полупроводников в середине XX века, особенно благодаря работам Уильяма Шокли и других учёных в Bell Labs.
Когда фотон с энергией, превышающей ширину запрещённой зоны полупроводника, попадает в материал, он может быть поглощён, переводя электрон из валентной зоны в зону проводимости и оставляя после себя дырку. Эти фотогенерированные носители могут двигаться, рекомбинировать или захватываться дефектами. Динамика — такая как время жизни носителей, длина диффузии и пути рекомбинации — чувствительна к качеству материала и может быть исследована с помощью таких методов, как времяразрешённая фотолюминесценция или спектроскопия переходного поглощения. Эти измерения показывают, как свет взаимодействует с электронной структурой полупроводника, включая роль тёмных состояний (неизлучающих возбуждённых состояний) и состояний с переносом заряда.
Это взаимодействие используется в солнечных элементах, фотодетекторах и светодиодах, а также применяется в неразрушающем контроле полупроводниковых пластин для выявления дефектов, которые могут ухудшить работу устройств.
В некоторых полупроводниках свет можно «замедлить» до скоростей всего несколько метров в секунду, создавая особые квантовые состояния; это явление используется в оптических линиях задержки и квантовой памяти.










