Изменения электронного, магнитного или структурного поведения материалов при формировании их в ультратонкие слои.Свойства тонких плёнок относятся к драматическим изменениям электронного, магнитного, структурного и оптического поведения, которые материалы проявляют, когда их формируют в слои толщиной от нанометров до микрометров. При таких масштабах отношение поверхности к объёму становится огромным, а эффекты квантового ограничения, деформация от подложки и межфазные взаимодействия могут доминировать в поведении материала. Именно поэтому плёнка из оксида цинка может менять форму в магнитном поле, или почему толщина плёнки изменяет энергетические уровни электронов внутри неё, фактически меняя её «ноту».
Систематическое изучение тонких плёнок началось в середине XX века с развитием методов вакуумного напыления, но область быстро расширилась с появлением молекулярно-лучевой эпитаксии в 1960-х и 1970-х годах, что позволило контролировать толщину слоёв на атомном уровне.
Когда материал сводится к тонкой плёнке, его свойства больше не определяются только объёмной кристаллической структурой. Несоответствие решётки с подложкой может деформировать плёнку, изменяя её электронную зонную структуру и магнитное упорядочение. Квантовое ограничение, при котором электроны ограничены в одном измерении, приводит к дискретным энергетическим уровням, зависящим от толщины плёнки. Кроме того, поверхность и границы раздела становятся значимыми, позволяя внешним полям сильно связываться со свойствами плёнки, как это видно в магнитострикционном отклике плёнок оксида цинка.
Тонкие плёнки повсеместно используются в современной технике: от полупроводниковых слоёв в микросхемах и солнечных батареях до магнитных слоёв в жёстких дисках и оптических покрытий на линзах и зеркалах.
Цвет мыльного пузыря — это естественный пример интерференции в тонких плёнках, где толщина плёнки определяет, какие длины волн света отражаются.














