
تغير المقاومة الكهربائية لمادة ما استجابةً لمجال مغناطيسي مطبق.المغناطيسية المقاومية هي تغير المقاومة الكهربائية لمادة ما عند تطبيق مجال مغناطيسي خارجي. في المعادن العادية، يكون هذا التأثير صغيرًا وإيجابيًا (تزداد المقاومة قليلاً)، لكن في بعض المواد والتراكيب، يمكن أن يكون مذهلاً — فقد تنخفض المقاومة بمقدار عدة مراتب من حيث الحجم أو حتى تختفي تمامًا. هذه الظاهرة ليست مجرد فضول مخبري؛ بل هي الأساس الفيزيائي لأجهزة الاستشعار المغناطيسية الحديثة، ورؤوس قراءة الأقراص الصلبة، والذاكرة العشوائية المغناطيسية (MRAM).
اكتشف هذا التأثير ويليام طومسون (اللورد كلفن) في عام 1856، حيث لاحظ أن مقاومة الحديد والنيكل تتغير عند مغنطتها. الفهم الحديث والاستغلال التكنولوجي، خاصة المغناطيسية المقاومية العملاقة، ظهر في أواخر الثمانينيات من القرن العشرين بفضل أعمال ألبرت فير وبيتر غرونبرغ، اللذين تقاسما جائزة نوبل في الفيزياء عام 2007.
ينشأ هذا التأثير لأن المجال المغناطيسي يؤثر على مسارات الإلكترونات الموصلة. في صورة بسيطة، الإلكترونات المتحركة عبر المادة تتبعثر بواسطة الذرات والشوائب؛ والمجال المغناطيسي يحني مساراتها، مما يزيد من احتمالية التصادمات وبالتالي المقاومة (المغناطيسية المقاومية العادية). في حالات أكثر غرابة، مثل المغناطيسية المقاومية العملاقة (GMR) في تراكيب متعددة الطبقات مغناطيسية/غير مغناطيسية، تعتمد المقاومة على التوازي النسبي للطبقات المغناطيسية: عندما تكون متوازية، تمر الإلكترونات ذات اللف المغزلي المتوافق بسهولة؛ وعندما تكون غير متوازية، تتبعثر بقوة أكبر. يمكن لهذا التأثير أيضًا أن يكشف عن نظام مغناطيسي خفي، كما في دراسات الترتيب المغناطيسي في البلورات والموصلات الفائقة المذكورة في العناوين.
يُستخدم في رؤوس قراءة الأقراص الصلبة، وأجهزة استشعار المجال المغناطيسي في التطبيقات الصناعية والسيارات، وفي الذاكرة العشوائية المغناطيسية غير المتطايرة (MRAM).
مُنحت جائزة نوبل في الفيزياء عام 2007 لاكتشاف المغناطيسية المقاومية العملاقة، الذي مكّن من زيادة كثافة تخزين الأقراص الصلبة ألف ضعف.















