Тонкий срез кристаллического кремния, используемый в качестве подложки для микроизготавливаемых устройств.Кремниевая пластина — это тонкий круглый срез высокочистого монокристаллического кремния, служащий основой для большинства современных микроэлектронных устройств. Почти все интегральные схемы, микропроцессоры и чипы памяти изготавливаются на кремниевых пластинах. Идеальная кристаллическая структура и полупроводниковые свойства пластины позволяют создавать на одном чипе миллиарды транзисторов, что обеспечило цифровую революцию. Помимо электроники, кремниевые пластины используются в фотовольтаике, МЭМС (микроэлектромеханических системах) и в качестве оптических подложек.
Использование кремния в качестве полупроводникового материала началось в 1940-х и 1950-х годах, первый кремниевый транзистор был продемонстрирован в 1954 году. Разработка планарного процесса Жаном Хёрни в 1959 году и создание интегральной схемы Робертом Нойсом и Джеком Килби привели к широкому распространению кремниевых пластин.
Кремниевые пластины изготавливаются путём выращивания большого монокристалла кремния (методом Чохральского) и последующей нарезки его на тонкие диски. Пластины полируются до зеркального блеска, чтобы получить атомарно гладкую поверхность. С помощью фотолитографии, травления и легирования на поверхности пластины создаются сложные рисунки из проводящих, изолирующих и полупроводниковых областей, формирующих электронные схемы. Пластина служит одновременно механической опорой и полупроводниковой основой, а её электрические свойства локально изменяются для создания транзисторов и других компонентов.
Кремниевые пластины являются стандартной подложкой для производства практически всех микросхем — от компьютерных процессоров до датчиков в смартфонах, а также для солнечных элементов в фотоэлектрических панелях.
На одной современной кремниевой пластине может разместиться более 100 миллиардов транзисторов — это больше, чем звёзд в нашей галактике.











