
Топологически защищённая магнитная квазичастица, похожая на вихрь, чьи квантованные моды вращения могут опосредовать квантовые взаимодействия.Скирмион — это топологически защищённая магнитная квазичастица, похожая на вихрь. В отличие от простого магнитного домена, спиновую конфигурацию скирмиона нельзя плавно деформировать в однородное состояние; она «завязана узлом», что придаёт ей топологический заряд. Этот заряд делает её чрезвычайно устойчивой к локальным возмущениям, то есть её можно перемещать, создавать и уничтожать, не теряя её идентичности. В последние годы скирмионы стали перспективными кандидатами для хранения и обработки информации, поскольку они малы, стабильны и могут управляться электрическими токами.
Концепция скирмиона была впервые предложена в 1962 году британским физиком Тони Скайрмом как модель элементарных частиц. Позже она была применена к физике конденсированного состояния, а первое наблюдение магнитных скирмионов в реальном пространстве было сделано в 2009 году группой из Гамбургского университета.
Скирмионы образуются в магнитных материалах с особым типом взаимодействия, называемым взаимодействием Дзялошинского-Мории, которое способствует закручиванию магнитных моментов. В результате возникает вихревой узор, в котором намагниченность направлена во все стороны, оборачиваясь вокруг центрального ядра. Эта конфигурация топологически защищена, то есть для её разрушения необходимо преодолеть энергетический барьер. Скирмионы можно перемещать, прикладывая электрический ток, который оказывает крутящий момент на их спины, и их можно обнаруживать по их влиянию на электрическое сопротивление материала.
Скирмионы исследуются для использования в «racetrack-памяти» (память на основе движения доменных стенок), типе энергонезависимой памяти, где данные кодируются наличием или отсутствием скирмионов вдоль магнитной нанопроволоки. Они также изучаются для логических операций и как потенциальные носители информации в нейроморфных вычислениях.
Скирмионы настолько стабильны, что их можно представить как «магнитные узлы», которые невозможно развязать, и они могут быть размером всего в несколько нанометров, что потенциально позволяет создавать сверхплотные запоминающие устройства.














