
الدرجة التي تكون فيها سبينات الإلكترون مصطفة في اتجاه معين.استقطاب السبين يشير إلى الدرجة التي يكون فيها الزخم الزاوي الجوهري، أو "السبين"، لمجموعة من الجسيمات مثل الإلكترونات، مصطفًا في اتجاه واحد. في الحالة غير المستقطبة، تشير السبينات في اتجاهات عشوائية، مما يلغي بعضها البعض. عندما تكون المادة مستقطبة السبين، فإن أغلبية إلكتروناتها تكون سبيناتها مصطفة، مما يخلق عزمًا مغناطيسيًا صافيًا. هذه الخاصية أساسية للمغناطيسية وهي الأساس لمجموعة واسعة من التقنيات، من الأقراص الصلبة إلى الحوسبة الكمومية المتقدمة والإسبينترونيكس.
تم تقديم مفهوم سبين الإلكترون بواسطة جورج أولنبيك وصامويل جودسميت في عام 1925 لشرح بعض الخطوط الطيفية الذرية. فكرة التحكم في استقطاب السبين واستخدامه في الإلكترونيات، المعروفة الآن باسم الإسبينترونيكس، تم تطويرها في أواخر الثمانينيات مع اكتشاف تأثير المقاومة المغناطيسية العملاقة (GMR) بواسطة ألبرت فير وبيتر غرونبرغ، اللذين حصلا على جائزة نوبل في الفيزياء عام 2007.
يمكن تحقيق استقطاب السبين بعدة طرق. إحدى الطرق الشائعة هي تطبيق مجال مغناطيسي خارجي، والذي يمارس عزمًا على العزوم المغناطيسية للإلكترونات، مما يجعلها تصطف. طريقة أخرى هي من خلال "حقن السبين"، حيث يتم إدخال إلكترونات مستقطبة السبين في مادة غير مغناطيسية من جهة اتصال مغناطيسية حديدية. في بعض المواد، مثل المغناطيسات الحديدية، فإن التفاعل التبادلي بين الإلكترونات يفضل بشكل طبيعي حالة تكون فيها سبيناتها مصطفة، مما يؤدي إلى استقطاب تلقائي للسبين حتى بدون مجال خارجي.
استقطاب السبين هو مبدأ العمل وراء رؤوس القراءة في الأقراص الصلبة الحديثة، والتي تستخدم تأثير GMR لكشف المجالات المغناطيسية الدقيقة، وهو أيضًا عنصر أساسي في تطوير أجهزة الكمبيوتر الكمومية القائمة على السبين، حيث يمكن لسبين الإلكترون أن يمثل بتًا كموميًا (كيوبت) من المعلومات.
تُستخدم الإلكترونات المستقطبة السبين في مسرعات الجسيمات لدراسة البنية الداخلية للبروتونات والنيوترونات؛ من خلال تشتيت شعاع من الإلكترونات المستقطبة على هدف، يمكن للفيزيائيين رسم خريطة لتوزيع السبين والزخم للكواركات داخل النيوكليون.






















