Тонкий изолирующий барьер, через который электроны или куперовские пары могут туннелировать квантово-механически.Туннельный переход — это слоистая структура, состоящая из двух проводящих слоёв, разделённых чрезвычайно тонким изолирующим барьером, обычно толщиной всего в несколько нанометров. В классической физике электрон, приближающийся к такому барьеру, просто отразился бы назад, поскольку ему не хватает энергии для преодоления потенциального барьера. Однако квантовая механика позволяет электрону «туннелировать» сквозь барьер как волне, с вероятностью, экспоненциально убывающей с толщиной барьера. Это явление — не просто курьёз; оно лежит в основе работы многих современных электронных и сверхпроводящих устройств.
Концепция квантового туннелирования была разработана в конце 1920-х годов Фридрихом Хундом, Джорджем Гамовым и другими для объяснения альфа-распада. Первый туннельный переход в твёрдом теле был продемонстрирован Лео Эсаки в 1957 году, который показал, что сильно легированные германиевые p-n-переходы обладают отрицательным сопротивлением благодаря туннелированию. Эсаки разделил Нобелевскую премию по физике 1973 года с Иваром Джайевером и Брайаном Джозефсоном за их работы по туннелированию в полупроводниках и сверхпроводниках.
Ключевым является волновая природа частиц. Электрон, падающий на барьер, описывается волновой функцией, которая не обрывается резко до нуля внутри изолятора, а экспоненциально затухает. Если барьер достаточно тонкий, на другой стороне сохраняется небольшая, но ненулевая амплитуда, что означает конечную вероятность появления электрона. В сверхпроводящих переходах туннелирование куперовских пар (связанных пар электронов) приводит к эффекту Джозефсона, при котором сверхток течёт без приложенного напряжения. Скорость туннелирования чрезвычайно чувствительна к толщине барьера и плотности доступных квантовых состояний по обе стороны, что делает туннельные переходы точными зондами электронной структуры.
Туннельные переходы используются в сверхпроводящих кубитах для квантовых вычислений, где джозефсоновские переходы служат нелинейными элементами. Они также необходимы в магнитных туннельных переходах для считывающих головок жёстких дисков и во флеш-памяти.
Толщина барьера туннельного перехода обычно составляет всего несколько атомов, поэтому один атомный слой примеси может изменить туннельный ток на порядки величины.






















