Базовый слой кремния, на который наносятся другие материалы для создания электронных устройств.Кремниевая подложка представляет собой плоский тонкий срез кристаллического кремния, который служит базовым слоем для создания электронных схем, оптических компонентов или других тонких плёнок. Это исходный материал для большинства интегральных схем, микропроцессоров и многих типов датчиков. Чистота, кристаллографическая ориентация и качество поверхности подложки критически важны, поскольку они влияют на производительность и выход годных устройств, создаваемых на её основе.
Использование кремния в качестве полупроводниковой подложки началось в 1950-х годах, когда он заменил германий в ранних транзисторах благодаря своим превосходным тепловым свойствам и возможности выращивать стабильный собственный оксид (диоксид кремния). Разработка планарной технологии Жаном Эрни и другими сотрудниками Fairchild Semiconductor в 1959 году сделала кремниевые подложки стандартом для интегральных схем.
Кремниевые подложки обычно вырезаются из монокристаллического слитка, выращенного методом Чохральского, а затем полируются до зеркального блеска. Слои устройств добавляются с помощью таких процессов, как легирование (введение примесей для изменения проводимости), осаждение (например, оксидов или металлов) и литография (формирование рисунка). Подложка обеспечивает механическую поддержку и электрическую изоляцию, а её полупроводниковые свойства позволяют создавать транзисторы и другие активные компоненты.
Кремниевые подложки используются практически во всей современной электронике, включая компьютерные процессоры, микросхемы памяти, солнечные элементы и МЭМС-устройства, а также в исследованиях в области квантовых вычислений и фотоники.
Одна 300-миллиметровая кремниевая пластина может дать более 500 отдельных процессорных чипов, каждый из которых содержит миллиарды транзисторов.














