
Процесс, используемый в микроэлектронике для формирования рисунка на части тонкой плёнки или подложки.Литография — это ключевой метод формирования рисунка в микроэлектронике, используемый для переноса геометрических форм на тонкую плёнку или подложку. Именно благодаря ей современные микросхемы, датчики и фотонные устройства могут вмещать миллиарды элементов на одном кристалле. Процесс заключается в нанесении на поверхность светочувствительного материала (резиста), облучении выбранных участков излучением (обычно ультрафиолетовым светом, но также электронными пучками или рентгеновскими лучами) и последующем химическом проявлении резиста для создания маски. Эта маска защищает части нижележащего слоя при травлении или осаждении, так что рисунок физически вырезается в материале.
Метод развился из фотолитографии, применявшейся в полиграфии, и был адаптирован для производства полупроводников в конце 1950-х годов, в частности Джеем Лэтропом и Джеймсом Ноллом в Лабораториях алмазных взрывателей Армии США в 1957 году.
Основной механизм — селективное облучение. Маска или сканирующий пучок определяет, какие области резиста изменяются. В оптической литографии свет проходит через фотошаблон, проецируя рисунок на резист; в электронно-лучевой литографии сфокусированный пучок записывает рисунок напрямую. После проявления резист действует как трафарет: открытые участки удаляются или затвердевают в зависимости от типа резиста. Последующие этапы — травление, ионная имплантация или рост тонких плёнок — переносят рисунок в функциональный материал. Предел разрешения определяется длиной волны излучения и оптикой, поэтому передовые методы используют экстремальный ультрафиолет или электронные пучки.
Литография используется для изготовления интегральных схем, микроэлектромеханических систем (МЭМС), фотонных чипов и даже микрофлюидных каналов для устройств «лаборатория-на-чипе».
Современная экстремальная ультрафиолетовая литография использует свет с длиной волны 13,5 нанометра — примерно в 40 раз короче видимого света — и требует зеркал с многослойным покрытием из молибдена и кремния, поскольку ни одна линза не может сфокусировать такое излучение.


















