
Твердое полупроводниковое соединение, используемое в качестве подложки, поддерживающей тонкую пленку в этом эксперименте.Карбид кремния (SiC) — это полупроводниковое соединение, состоящее из кремния и углерода. Он известен своей исключительной твердостью, высокой теплопроводностью и способностью работать при высоких температурах, напряжениях и частотах. В контексте эксперимента он служит прочной подложкой для выращивания тонких пленок, обеспечивая стабильную кристаллическую основу, которая влияет на свойства пленки.
Карбид кремния был впервые синтезирован в 1891 году Эдвардом Гудричем Ачесоном, который пытался создать искусственные алмазы. Его полупроводниковые свойства были признаны в начале XX века, но коммерческое применение развилось гораздо позже из-за трудностей в получении высокочистых кристаллов.
Карбид кремния имеет широкую запрещенную зону (около 3,26 эВ для политипа 4H-SiC), что означает, что он может выдерживать сильные электрические поля без пробоя. Его прочные ковалентные связи обеспечивают исключительную механическую прочность и термическую стабильность. Как подложка, его кристаллическая решетка и поверхностная химия определяют, как осаждаемые атомы упорядочиваются, обеспечивая эпитаксиальный рост высококачественных пленок.
Карбид кремния используется в силовой электронике, например, в инверторах электромобилей и системах электросетей, а также в светодиодах и в качестве подложки для графена и других двумерных материалов.
Карбид кремния — один из самых твердых известных материалов, уступающий по шкале Мооса только алмазу и нитриду бора.























