تقنية تقيس زاوية وطاقة الإلكترونات المنبعثة لرسم خريطة البنية الإلكترونية للمادة.مطيافية الانبعاث الضوئي المحلولة بالزاوية (ARPES) هي تقنية تُستخدم لقياس البنية الإلكترونية للمواد مباشرة. من خلال تسليط ضوء عالي الطاقة (عادةً فوق بنفسجي أو أشعة سينية) على عينة، يتم قذف الإلكترونات عبر التأثير الكهروضوئي. قياس الطاقة الحركية وزاوية الانبعاث لهذه الإلكترونات يكشف عن طاقة وزخم الإلكترونات داخل المادة، مما يوفر خريطة تفصيلية لبنيتها النطاقية. هذا أمر حاسم لفهم خصائص المعادن وأشباه الموصلات والمواد الكمومية الغريبة مثل الموصلات الفائقة عالية الحرارة.
طُوّرت تقنية ARPES في السبعينيات، بناءً على التأثير الكهروضوئي الذي شرحه أينشتاين في عام 1905. استخدمت التجارب المبكرة مصابيح فوق بنفسجية مخبرية، لكن التقنية تقدمت بشكل كبير مع مصادر ضوء السنكروترون، التي توفر إشعاعًا عالي الكثافة قابلًا للضبط.
في ARPES، يصطدم فوتون ذو طاقة معروفة بالعينة، ناقلًا طاقته إلى إلكترون. يهرب الإلكترون إذا اكتسب طاقة كافية للتغلب على دالة الشغل للمادة. بقياس الطاقة الحركية للإلكترون وزاويته بالنسبة للسطح، يمكن حساب طاقة ارتباطه وزخمه البلوري قبل الانبعاث. شدة الإلكترونات المنبعثة عند كل طاقة وزخم تعكس مباشرة احتمال وجود إلكترون في تلك الحالة، مما ينتج عنه تشتت النطاقات.
تُستخدم ARPES في فيزياء المادة المكثفة لدراسة الموصلات الفائقة والعوازل الطوبولوجية والجرافين، مما يساعد الباحثين على تصميم أجهزة إلكترونية جديدة وفهم الظواهر الكمومية.
يمكن لتقنية ARPES اكتشاف 'الانحناء' في تشتت الإلكترونات الناتج عن اقتران الإلكترون-فونون، وهي ميزة دقيقة تكشف كيف تؤثر اهتزازات الشبكة البلورية على سلوك الإلكترونات.
















