
Un composé lamellaire de tungstène et de sélénium, étudié ici pour sa structure électronique inhabituelle.Le diséléniure de tungstène est un composé lamellaire de tungstène et de sélénium, appartenant à la famille des dichalcogénures de métaux de transition. Sa structure électronique unique change radicalement lorsqu'il est aminci jusqu'à une seule couche, passant d'un semiconducteur à gap indirect à un semiconducteur à gap direct. Cette propriété le rend très intéressant pour l'optoélectronique et la vallée-tronique, où l'impulsion et le spin de l'électron peuvent être utilisés pour transporter l'information.
Le diséléniure de tungstène a été synthétisé pour la première fois dans les années 1960, mais ses propriétés en monocouche n'ont été explorées qu'après la découverte du graphène en 2004. Le gap direct dans les monocouches a été démontré en 2010.
Sous sa forme massive, le diséléniure de tungstène possède un gap indirect, ce qui signifie que les électrons doivent changer d'impulsion pour émettre de la lumière. Lorsqu'il est exfolié en une monocouche, le gap devient direct, permettant une émission et une absorption efficaces de la lumière. Le matériau présente également un fort couplage spin-orbite, qui lie le spin de l'électron à son impulsion, créant des états de 'vallée' uniques qui peuvent être excités sélectivement par une lumière polarisée circulairement. Cela permet de contrôler les propriétés électroniques par des moyens optiques.
Utilisé dans les photodétecteurs ultra-minces, les diodes électroluminescentes et les dispositifs vallée-troniques, ainsi que dans les études de la physique des excitons et de l'optique quantique.
Dans une monocouche de diséléniure de tungstène, l'éclairage avec une lumière polarisée circulairement peut créer une 'polarisation de vallée' où les électrons dans différentes vallées ont des spins opposés, une propriété qui pourrait être utilisée pour de futurs ordinateurs 'vallée-troniques'.

















