
Un composé semi-conducteur dur utilisé comme substrat supportant la couche mince dans cette expérience.Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur composite constitué de silicium et de carbone. Il est réputé pour son extrême dureté, sa conductivité thermique élevée et sa capacité à fonctionner à des températures, tensions et fréquences élevées. Dans le cadre de l'expérience, il sert de substrat robuste pour la croissance de couches minces, offrant une base cristalline stable qui influence les propriétés du film.
Le carbure de silicium a été synthétisé pour la première fois en 1891 par Edward Goodrich Acheson, qui cherchait à créer des diamants artificiels. Ses propriétés semi-conductrices ont été reconnues au début du XXe siècle, mais les applications commerciales ne se sont développées que bien plus tard, en raison des difficultés à produire des cristaux de haute pureté.
Le carbure de silicium possède une large bande interdite (environ 3,26 eV pour le polytype 4H-SiC), ce qui signifie qu'il peut supporter des champs électriques intenses sans claquage. Ses liaisons covalentes fortes lui confèrent une résistance mécanique exceptionnelle et une stabilité thermique remarquable. En tant que substrat, sa structure cristalline et sa chimie de surface déterminent la manière dont les atomes déposés s'organisent, permettant une croissance épitaxiale de films de haute qualité.
Le carbure de silicium est utilisé dans l'électronique de puissance, comme les onduleurs de véhicules électriques et les systèmes de réseaux électriques, ainsi que dans les LED et comme substrat pour le graphène et d'autres matériaux bidimensionnels.
Le carbure de silicium est l'un des matériaux les plus durs connus, se classant juste en dessous du diamant et du nitrure de bore sur l'échelle de Mohs.























